FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 42 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 100μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 40 nC @ 10 V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1750 pF @ 50 V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 144W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 D2PAK 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 基本产品编号 IRFS4615